一、建设项目名称及项目概况
1、项目名称：GaN自支撑衬底项目（一期工程）
2、项目建设单位：珠海方唯成半导体材料有限责任公司
3、项目建设内容、地址和规模：
珠海方唯成半导体材料有限责任公司氮化镓自支撑衬底（一期工程），拟建设于珠海市香洲区金凤路三溪科创城**中心三溪智造港3号永田路399号2栋1楼（项目中心位置：N22°17′52.800″，E113°19′33.312″），公司主要生产半导体材料衬底，开发和研究电子专用材料，规划产能为年产6000片**衬底，本次项目申报内容属于整体项目的试验阶段，主要通过试验测试，确保能够成功生产4.5吋氮化镓自支撑衬底后，再进行整体量产，实验测试氮化镓衬底数量为5片。项目总投资5000万元，其中环保投资50万元；项目用地面积2253.1平方米，建筑面积2253.1平方米。
二、建设单位名称
建设单位：珠海方唯成半导体材料有限责任公司
联系人：王工
三、环境影响评价机构名称
评价单位：珠海市凌越环保工程有限公司
联系人：戴工
四、环境影响评价工作程序
工作程序：接受建设项目委托——签订项目环评合同——现场踏勘——建设方提供项目相关资料——环境现状调查——进行资料的**研究——编制环评报告表——报告表审批。
五、公众意见反馈方式
本次信息公示后，公众可通过电话、电子邮件等方式发表关于项目开发建设及环评公众的意见看法。
全本公示稿链接：https://pan.baidu.com/s/1MfVmJ4YCQBzQaA94g6WhEA
提取码：skq9
珠海方唯成半导体材料有限责任公司